光刻加工--曝光后烘烤

光刻加工中重要的一步：减少驻波效应的一种方法称为曝光后烘烤（PEB）。尽管大家仍对该机理有一些争论，但据信所用的高温（100°C – 130°C）会引起光活性化合物的扩散，从而使驻波波峰变得平滑。重要的是要注意，关于预烘烤讨论的高温对光致抗蚀剂的有害影响也适用于PEB。因此，优化烘烤条件变得非常重要。还已经观察到，PAC的扩散速率取决于预烘烤条件。据认为，溶剂的存在增强了PEB期间的扩散。因此，对于给定的PEB温度，低温预烘烤会导致更大的扩散。

富有经验的光刻加工工艺工程师，对于光刻加工的每一个步骤的实施都有自己的解决方案。对于常规抗蚀剂，PEB的主要重要性是扩散以去除驻波。对于另一类光致抗蚀剂，称为化学放大抗蚀剂，PEB是化学反应的重要组成部分，化学反应会在抗蚀剂的已曝光部分和未曝光部分之间产生溶解度差异。对于这些抗蚀剂，曝光会生成少量的强酸，而强酸本身并不会改变抗蚀剂的溶解度。在曝光后烘烤期间，该光生酸催化改变聚合物树脂在抗蚀剂中的溶解度的反应。PEB的控制对于化学放大的抗蚀剂至关重要。

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