MEMS代工中光刻加工的胶图层步骤

MEMS代工中光刻加工的胶图层步骤通过看似简单的旋涂工艺，可以在特定的、可控的厚度上，薄而均匀地涂覆光致抗蚀剂。通过将固体成分溶解在溶剂中而变成液体形式的光致抗蚀剂被倒在晶片上，然后将其高速旋转到转盘上以产生所需的膜。

厚度的控制和均匀性以及低缺陷密度的严格要求，要求对此工艺给予特别关注，在MEMS代工光刻加工的工艺中，大量参数可能会对光刻胶的厚度均匀性和控制产生重大影响。可以在静态分配（分配抗蚀剂时晶片保持静止）或动态分配（分配抗蚀剂时晶片旋转），旋转速度和时间以及对每个旋转速度的加速度之间进行选择。

MEMS代工中光刻加工中分配的抗蚀剂的体积以及抗蚀剂的性质（例如粘度，固体百分比和溶剂组成）以及基材（基材材料和形貌）的性质在抗蚀剂厚度均匀性中起重要作用。此外，旋转操作的实际方面，例如排气，温度和湿度控制以及旋转器的清洁度通常对抗蚀剂膜具有显着影响。

在MEMS代工光刻胶旋涂循环结束时，厚的，富溶剂的光致抗蚀剂膜覆盖晶片，准备进行后施加烘烤。温度和湿度的控制以及旋转器的清洁度通常会对抗蚀剂膜产生重大影响。尽管存在理论上以流变学方式描述旋涂工艺，但实际上必须通过实验确定光刻胶厚度和均匀性随工艺参数的变化。光刻胶的旋转速度曲线是用于设置旋转速度以获得所需的抗蚀剂厚度的基本工具。最终的抗蚀剂厚度在旋转速度的平方根上变化一个，并且大致与液体光致抗蚀剂的粘度成比例。