MEMS代工中氮化镓GaN的应用

MEMS代工中氮化镓被人们称作第三代半导体材料的代表之一，氮化镓本身在性能特性上是一种部分替代性及革命性的材料和器件。像赛微电子，在氮化镓GaN所涉及的领域判断，氮化镓GaN业务已经发展的相当快。即便赛微电子在2017年就开始对氮化镓GaN业务进行的布局筹划。同时，氮化镓GaN外延材料的技术也已经达到领先水平，形成自己的产品序列，向国外销售。他们向市场提供氮化镓GaN功率器件和配套的PD快充方案。但，稳定批量的供应是当下最大的挑战。

赛微电子的MEMS代工氮化镓GaN的外延片上，已经拥有六英寸至八英寸的氮化镓GaN外延项目，每年的产能在一万片左右，但是还没有开始商业化提供，只对少量客户用于研发或者测试阶段使用。但是氮化镓GaN的器件设计是比较受限制的，其中包含产能、需求、技术、应用等问题。氮化镓GaN的投资成本不会很高，产线的产能可以在五千至一万片每月进行代工。或者想IDM的模式发展。

原位芯片提供MEMS代工中氮化镓GaN的代工服务，我们已经为院校、科研机构提供代工支持。部分教授、学者已发表相应论文，获得科研进步。